Approche holistique du contrôle du focus en photolithographie 193nm immersion pour les niveaux critiques en 28nm et 14nm FD-SOI

Résumé : La complexification des intégrations sur les puces électroniques et la course à la miniaturisation sont les deux moteurs actuels de la microélectronique. Les limites optiques de la lithographie sont déjà atteintes depuis longtemps. Ainsi, la fabrication doit aussi être contrôlée de plus en plus étroitement afin d’éviter des variabilités qui nuiraient au bon fonctionnement du produit. Cette thèse présente une approche holistique du contrôle d’un des paramètres les plus importants de la photolithographie : le focus. Celui-ci est directement lié à la qualité de l’image transférée dans la résine photosensible pendant l’exposition. Son contrôle est donc primordial. Les sources de variabilités du focus sur le wafer sont multiples et diverses mais le cas particulier de la topographie du substrat a été privilégié dans cette étude. L’approche holistique de cet effet en particulier a conduit à l’utilisation d’outils de « data mining » telle la régression par la méthode des moindres carrés partiels qui a permis de pointer les principales causes de cette topographie, de créer un modèle prédictif de la topologie mais aussi d’évaluer des solutions d’améliorations comme l’amélioration des corrections qu’effectue le scanner permettant un meilleur contrôle généralisé de toutes les technologies sans toutefois changer l’intégration et le design ou encore la mise en place d’une méthode qui permet d’évaluer les erreurs de focus sur le wafer sans pour autant avoir recours à des mesures intensives sur silicium. D’autres solutions permettent de corriger les facteurs de risques à la source en modifiant le design afin de limiter la formation de la topologie de surface.
Type de document :
Thèse
Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université de Lyon, 2016. Français
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https://hal-ujm.archives-ouvertes.fr/tel-01419388
Contributeur : Jean-Gabriel Simiz <>
Soumis le : lundi 19 décembre 2016 - 13:05:18
Dernière modification le : jeudi 26 juillet 2018 - 01:10:59
Document(s) archivé(s) le : mardi 28 mars 2017 - 00:33:10

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  • HAL Id : tel-01419388, version 1

Citation

Jean-Gabriel Simiz. Approche holistique du contrôle du focus en photolithographie 193nm immersion pour les niveaux critiques en 28nm et 14nm FD-SOI. Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université de Lyon, 2016. Français. 〈tel-01419388〉

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