Electrical Properties within 70-300 Kof Boron containing DLC Filmsdeposited by femtosecond Pulsed Laser Ablation - Université Jean-Monnet-Saint-Étienne Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Electrical Properties within 70-300 Kof Boron containing DLC Filmsdeposited by femtosecond Pulsed Laser Ablation

Aurélien Sikora
  • Fonction : Auteur
Laboratoire Hubert Curien
Alexandre Berkesse
  • Fonction : Auteur
Olivier Bourgeois
Thermodynamique et biophysique des petits systèmes
Jean-Luc Garden
Institut Néel
Christelle Guerret-Piécourt
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de Tribologie et Dynamique des Systèmes
A.-S. Loir
Laboratoire Hubert Curien
CV
Florence Garrelie
Laboratoire Hubert Curien
Christophe Donnet
  • Fonction : Auteur
Laboratoire Hubert Curien

Domaines

Optique / photonique

Florence Garrelie  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://ujm.hal.science/ujm-00356328

Soumis le : mardi 27 janvier 2009-11:41:31

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:10:51

Fichier non déposé

Dates et versions

ujm-00356328 , version 1 (27-01-2009)

Identifiants

  • HAL Id : ujm-00356328 , version 1

Citer

Aurélien Sikora, Alexandre Berkesse, Olivier Bourgeois, Jean-Luc Garden, Christelle Guerret-Piécourt, et al.. Electrical Properties within 70-300 Kof Boron containing DLC Filmsdeposited by femtosecond Pulsed Laser Ablation. ICMCTF 2008, International Conference on Metallurgical Coatings and Thin Films, May 2008, San Diego, United States. ⟨ujm-00356328⟩

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