Hopping current density in reversely biased crystalline silicon / amorphous carbon heterojunctions - Université Jean-Monnet-Saint-Étienne Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2005

Hopping current density in reversely biased crystalline silicon / amorphous carbon heterojunctions

C. Godet
Laboratoire de physique des interfaces et des couches minces [Palaiseau]
CV
T. Katsuno
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de physique des interfaces et des couches minces [Palaiseau]
Florence Garrelie
Laboratoire Hubert Curien
A.-S. Loir
Laboratoire Hubert Curien
CV

Domaines

Optique / photonique

Florence Garrelie  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://ujm.hal.science/ujm-00356434

Soumis le : mardi 27 janvier 2009-14:58:19

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:51

Fichier non déposé

Dates et versions

ujm-00356434 , version 1 (27-01-2009)

Identifiants

  • HAL Id : ujm-00356434 , version 1

Citer

C. Godet, T. Katsuno, Florence Garrelie, A.-S. Loir. Hopping current density in reversely biased crystalline silicon / amorphous carbon heterojunctions. ICANS 21, 21th International Conference on Amorphous and nanocrystalline Semiconductors, Sep 2005, Lisbon, Portugal. ⟨ujm-00356434⟩

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