Influence of substrate bias voltage on the in situ stress measured by an improved optical cantilever technique of sputtered chromium films - Université Jean-Monnet-Saint-Étienne Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Thin Solid Films Année : 2001

Influence of substrate bias voltage on the in situ stress measured by an improved optical cantilever technique of sputtered chromium films

Christian Gautier
  • Fonction : Auteur
G. Moulard
  • Fonction : Auteur
Jean-Pierre Chatelon
Dispositifs et Instrumentation en Optoélectronique et micro-ondes
G. Motyl
  • Fonction : Auteur

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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Soumis le : mardi 27 janvier 2009-15:45:56

Dernière modification le : samedi 18 mars 2023-03:51:48

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Dates et versions

ujm-00356485 , version 1 (27-01-2009)

Identifiants

  • HAL Id : ujm-00356485 , version 1

Citer

Christian Gautier, G. Moulard, Jean-Pierre Chatelon, G. Motyl. Influence of substrate bias voltage on the in situ stress measured by an improved optical cantilever technique of sputtered chromium films. Thin Solid Films, 2001, 384, pp.102-108. ⟨ujm-00356485⟩

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