100 nm period grating by high-index phase-mask immersion lithography

Yannick Bourgin 1 Yves Jourlin 1 Olivier Parriaux 1 Anne Talneau 2 Svetlen Tonchev 1, 3 Colette Veillas 1 P. Karvinen 4 Nicolas Passilly 5 Ahmad Md Zain 6 R.M. De La Rue 7 Jurgen Van Erps 8 David Troadec 9
1 LHC - Laboratoire Hubert Curien [Saint Etienne]
2 LPN - Laboratoire de photonique et de nanostructures
3 ISSP - Institute of Solid State Physics
4 JOE - University of Joensuu, Department of Physics and Mathematics
5 FEMTO-ST - Franche-Comté Électronique Mécanique, Thermique et Optique - Sciences et Technologies (UMR 6174)
6 Photonics Research Group, Centre for Communication,
7 Dpt of Electronics & Electrical Engineering
8 TONA - Department of Applied Physics and Photonics [Brussels]
9 IEMN - Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520
Keywords : Nanostructure fabrication Diffraction gratings Subwavelength structures Lithography Nanostructure fabrication.
Type de document :
Article dans une revue
Optics Express, Optical Society of America, 2010, 18 (10), pp.10557-10566
Liste complète des métadonnées
https://hal-ujm.archives-ouvertes.fr/ujm-00481902
Contributeur : Yannick Bourgin <>
Soumis le : vendredi 7 mai 2010 - 15:20:52
Dernière modification le : jeudi 18 octobre 2018 - 01:20:52

Identifiants

  • HAL Id : ujm-00481902, version 1

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Citation

Yannick Bourgin, Yves Jourlin, Olivier Parriaux, Anne Talneau, Svetlen Tonchev, et al.. 100 nm period grating by high-index phase-mask immersion lithography. Optics Express, Optical Society of America, 2010, 18 (10), pp.10557-10566. 〈ujm-00481902〉

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