Role of surface band bending and hole accumulation in laser-assisted field evaporation of semiconductors

Elena Silaeva 1, 2 Tatiana Itina 1 Angela Vella B. Deconihout
1 LHC - Laboratoire Hubert Curien [Saint Etienne]
2 CORIA - Complexe de recherche interprofessionnel en aérothermochimie
Keywords : laser assisted atomic prob model
Type de document :
Communication dans un congrès
International Field Emission Society (IFES) 2012, May 2012, Alabama, United States. 2012
Liste complète des métadonnées
https://hal-ujm.archives-ouvertes.fr/ujm-00711690
Contributeur : Tatiana Itina <>
Soumis le : lundi 25 juin 2012 - 14:56:41
Dernière modification le : mardi 10 avril 2018 - 01:50:20

Identifiants

  • HAL Id : ujm-00711690, version 1

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Citation

Elena Silaeva, Tatiana Itina, Angela Vella, B. Deconihout. Role of surface band bending and hole accumulation in laser-assisted field evaporation of semiconductors. International Field Emission Society (IFES) 2012, May 2012, Alabama, United States. 2012. 〈ujm-00711690〉

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