Role of surface band bending and hole accumulation in laser-assisted field evaporation of semiconductors

Elena Silaeva; Tatiana Itina; Angela Vella; B. Deconihout

Role of surface band bending and hole accumulation in laser-assisted field evaporation of semiconductors

Elena Silaeva ^{1, 2} Tatiana Itina ¹ Angela Vella B. Deconihout

1 LHC - Laboratoire Hubert Curien [Saint Etienne]

2 CORIA - Complexe de recherche interprofessionnel en aérothermochimie

Keywords : laser assisted atomic prob model

Type de document :

Communication dans un congrès

International Field Emission Society (IFES) 2012, May 2012, Alabama, United States. 2012

Domaine :

Sciences de l'ingénieur [physics] / Génie des procédés

Liste complète des métadonnées

https://hal-ujm.archives-ouvertes.fr/ujm-00711690
Contributeur : Tatiana Itina <>
Soumis le : lundi 25 juin 2012 - 14:56:41
Dernière modification le : mardi 5 février 2019 - 11:44:12

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