Role of surface band bending and hole accumulation in laser-assisted field evaporation of semiconductors

Type de document :
Communication dans un congrès
International Field Emission Society (IFES) 2012, May 2012, Alabama, United States. 2012
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Contributeur : Tatiana Itina <>
Soumis le : lundi 25 juin 2012 - 14:56:41
Dernière modification le : mardi 5 juin 2018 - 10:14:18

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  • HAL Id : ujm-00711690, version 1

Citation

Elena Silaeva, Tatiana Itina, Angela Vella, B. Deconihout. Role of surface band bending and hole accumulation in laser-assisted field evaporation of semiconductors. International Field Emission Society (IFES) 2012, May 2012, Alabama, United States. 2012. 〈ujm-00711690〉

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