Influence of argon flow rate on YIG film deposited by Radio-frequency reactive magnetron sputtering

B. Abdel Samad 1 M.-F. Blanc-Mignon 1 Mohamad Roumie 2 Jean-Pierre Chatelon 3 A. Siblini 1 Damien Jamon 1 M. Korek
1 DIOM - Dispositifs et Instrumentation en Optoélectronique et micro-ondes
2 Lebanese Atomic Energy Commission
3 LT2C - Laboratoire Telecom Claude Chappe
Type de document :
Communication dans un congrès
Seeheim Conference on Magnetism, Mar 2010, Frankfurt, Germany
Liste complète des métadonnées
https://hal-ujm.archives-ouvertes.fr/ujm-00795868
Contributeur : Jean-Pierre Chatelon <>
Soumis le : vendredi 1 mars 2013 - 09:33:49
Dernière modification le : dimanche 15 octobre 2017 - 22:44:13

Identifiants

  • HAL Id : ujm-00795868, version 1

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Citation

B. Abdel Samad, M.-F. Blanc-Mignon, Mohamad Roumie, Jean-Pierre Chatelon, A. Siblini, et al.. Influence of argon flow rate on YIG film deposited by Radio-frequency reactive magnetron sputtering. Seeheim Conference on Magnetism, Mar 2010, Frankfurt, Germany. 〈ujm-00795868〉

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