The effect of oxygen flow rate on the properties of YIG thin films prepared by rf-magnetron sputtering - Université Jean-Monnet-Saint-Étienne Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2011

The effect of oxygen flow rate on the properties of YIG thin films prepared by rf-magnetron sputtering

B. Abdel Samad
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 897636
Laboratoire Telecom Claude Chappe
A. Siblini
  • Fonction : Auteur
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Laboratoire Telecom Claude Chappe
M.-F. Blanc-Mignon
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Laboratoire Telecom Claude Chappe
Mohamad Roumie
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Lebanese Atomic Energy Commission
Jean-Pierre Chatelon
Laboratoire Telecom Claude Chappe
M. Korek
  • Fonction : Auteur

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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Soumis le : vendredi 1 mars 2013-09:42:16

Dernière modification le : lundi 3 avril 2023-18:16:08

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Dates et versions

ujm-00795876 , version 1 (01-03-2013)

Identifiants

  • HAL Id : ujm-00795876 , version 1

Citer

B. Abdel Samad, A. Siblini, M.-F. Blanc-Mignon, Mohamad Roumie, Jean-Pierre Chatelon, et al.. The effect of oxygen flow rate on the properties of YIG thin films prepared by rf-magnetron sputtering. Mediterranean Conference on Innovative Materials and Applications (CIMA), Mar 2011, Beirut, Lebanon. ⟨ujm-00795876⟩

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